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TK6A60D中文资料

  • 大小:189.06KB
  • 厂家:
  • 描述:TK6A60D 2008-09-16 1 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSⅦ) TK6A60D Switching Regulator Applications ? Low drain-source ON-resistance: R DS (ON) = 1.0 Ω (typ.) ? High forward transfer admittance: |Y fs | = 3.0 S (typ.) ? Low leakage current: I DSS = 10 μA (V DS = 600 V) ? Enhancement mode: V th = 2.0 to 4.0 V (V DS = 10 V, I D = 1 mA) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage V DSS 600 V Gate-source voltage V GSS ±30 V DC (Note 1) I D 6 Drain current Pulse (t = 1 ms) (Note 1) I DP 24 A Drain power dissipation (Tc = 25°C) P D 40 W Single pulse avalanche energy (Note 2) E AS 173 mJ Avalanche current I AR 6 A Repetitive avalanche energy (Note 3) E AR 4.0 mJ Channel temperature T ch 150 °C Storage temperature range T stg -55 to 150 °C Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significan

TK6A60D供应商

更新时间:2022-12-31 07:31:51
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